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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依(yī)据《中华(huá)人民共(gòng)和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下(xià)游裤子175是几个x建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D裤子175是几个x NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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