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新字的繁体字有几画,新的繁体字是几画

新字的繁体字有几画,新的繁体字是几画 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一(yī)则突发消息。

  美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

  审查发现(xiàn),美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患,对我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险,影响我国国家安全。为此,网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规,我(wǒ)国(guó)内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

  此次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进行网络安(ān)全审查,目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全,是维护国家安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng),只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规要求(qiú),欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场(chǎng)。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采购(gòu)!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称,为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全,防(fáng)范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护国家安全(quán),依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法(fǎ)》,网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的(de)产品实(shí)施(shī)网络安(ān)全审查。

  半导体突发(fā)!中国出手<span style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>新字的繁体字有几画,新的繁体字是几画</span>:停(tíng)止采购(gòu)!

  美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头,也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一,2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM (内存(cún))市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

  美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降,至少已(yǐ)经不(bù)是主要大(dà)供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商(shāng),采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì),江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约,确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性,巩(gǒng)固公司(sī)在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势,公司也与国内国产存(cún新字的繁体字有几画,新的繁体字是几画)储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析,如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制,或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

  分(fēn)析称(chēng),长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽,催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露,薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75%。自长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单,设备国产化进(jìn)程加(jiā)速,看好拓荆(jīng)科技(jì)(薄(báo)膜沉积)等相关(guān)公司(sī)份额提(tí)升,以(yǐ)及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗(xǐ))等(děng)收入增长。

 

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