大(dà)家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙在华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设(shè)施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等(děng)公司(sī)披(pī)露过美(měi)光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò鬼吹灯真正的作者不敢承认，鬼吹灯真正的尸仙)者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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