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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办概率分布函数右连续怎么理解，什么叫分布函数的右连续公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题危害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市概率分布函数右连续怎么理解，什么叫分布函数的右连续场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过(guò)美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额(é)占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提(tí)升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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