大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行了(le)网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi行车证照片怎么拍标准 行车证照片是几寸的)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露行车证照片怎么拍标准 行车证照片是几寸的过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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