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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安(ān)全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机悲守穷庐将复何及啥意思，悲守穷庐将复何及表达了什么愿望构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子悲守穷庐将复何及啥意思，悲守穷庐将复何及表达了什么愿望(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加(jiā)速悲守穷庐将复何及啥意思，悲守穷庐将复何及表达了什么愿望，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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