大(dà)家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，人民币大写怎么写0到10，汉字大写怎么写0到10trong>我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）人民币大写怎么写0到10，汉字大写怎么写0到10在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。人民币大写怎么写0到10，汉字大写怎么写0到10p>

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加入美(měi)国(guó)限制名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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