大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基频繁梦见一个人是缘尽吗，频繁梦见一个人是不是缘尽础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的(de)必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额(é)提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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