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　　美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)波(日本最想干掉的国家，日本最恨哪个国家bō)龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商日本最想干掉的国家，日本最恨哪个国家，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　日本最想干掉的国家，日本最恨哪个国家>分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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