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　　美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zh一般上大一是多少岁，大一是多少岁哪年的òng)网络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服一般上大一是多少岁，大一是多少岁哪年的务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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