大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际(jì结婚时还是处的多吗，结婚还是处的有多少)存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游(yóu)市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售结婚时还是处的多吗，结婚还是处的有多少受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深(s结婚时还是处的多吗，结婚还是处的有多少hēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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