大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公司产(司马光好学文言文翻译及注释，司马光好学文言文翻译及原文chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入(rù)中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护(hù)国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入(rù)来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江(jiāng)存司马光好学文言文翻译及注释，司马光好学文言文翻译及原文储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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