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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法对美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全(quán)的必(bì)要(yào)措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安(ā衣服为什么晾完会臭，衣服为什么晾完会臭呢n)全，防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(衣服为什么晾完会臭，衣服为什么晾完会臭呢gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和(hé)第三大(dà)供应(yīng)商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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