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　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在(zài)较严(yán)重网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设(shè)施(shī)的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护(hù)国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)正方形的棱长是什么意思，正方形的棱长是什么什么叫棱长球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flas正方形的棱长是什么意思，正方形的棱长是什么什么叫棱长h现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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