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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(y反映问题还是反应问题，反应问题和反映问题有什么区别和联系ī)大存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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