大(dà)家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存(c周深是男的还是女的 周深是哪个公司的艺人ún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是(shì)主要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的(d周深是男的还是女的 周深是哪个公司的艺人e)供(gōng)应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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