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　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安(酵母菌是真核还是原核 细菌一定都是原核生物吗ān)全审(shěn)查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第(dì)三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大酵母菌是真核还是原核 细菌一定都是原核生物吗量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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