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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安(ān)全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的(de)结(jié)论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网络安全(quán)审查，目(mù)的(de)是(shì)防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元(皇太极的父皇是谁，清朝历代帝王顺序表yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存皇太极的父皇是谁，清朝历代帝王顺序表储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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