大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的(de)结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公(gōng)粗犷，粗旷和粗犷区别在哪司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额(é)占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在(zài)存(c粗犷，粗旷和粗犷区别在哪ún)储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D粗犷，粗旷和粗犷区别在哪 NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长。

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