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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约颗粒状藕粉是假的吗，十块钱一罐的藕粉能吃吗11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，颗粒状藕粉是假的吗，十块钱一罐的藕粉能吃吗trong>国内长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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