大家(jiā)好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司(sī)在华(huá)销昆仑山在哪个省哪个市，昆仑山在哪个省哪个市哪个县售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)安(ān)全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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