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　　美光公司(sī)在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我国(guó)关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链造成重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōn浆水是热性还是凉性的 浆水可以当水喝吗g)国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐患造(zào)成(chéng)网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至(zh浆水是热性还是凉性的 浆水可以当水喝吗ì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等国际(jì)存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下游建立(lì)国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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