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孙正义为什么是中国姓 孙正义有中国血统吗

孙正义为什么是中国姓 孙正义有中国血统吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则(zé)突发消息(xī)。

  美光公(gōng)司在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

  审查发现(xiàn),美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患,对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险,影响我国国家安全。为此,网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规,我国内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营(yí孙正义为什么是中国姓 孙正义有中国血统吗ng)者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

  此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全审查,目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全,是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放,只要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求,欢迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发文称(chēng),为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全,防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险,维护(hù)国家(jiā)安(ān)全(quán),依据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》,网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法》,对美光公司(sī)(Micron)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络安(ān)全审查。

  半导体突发!中国出(chū)手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头,也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一,2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57%降至(zhì)2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

  美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降,至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采(cǎi)购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波孙正义为什么是中国姓 孙正义有中国血统吗龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约,确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性,巩(gǒng)固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的(de)供应优势,公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

  有券商此前就分析,如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制,或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士,国(guó)内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞对(duì)产品(pǐn)

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài),2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽,催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子(zi)披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备(bèi)国(guó)产化进程加速(sù),看好(hǎo)拓荆科技(jì)(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升,以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(h孙正义为什么是中国姓 孙正义有中国血统吗ǎi)(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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