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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安20G等于多少GB 20GB流量够用一天吗全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通过网20G等于多少GB 20GB流量够用一天吗络安(ān)全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害20G等于多少GB 20GB流量够用一天吗国家关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施(shī)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市(shì)场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司(sī)也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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