大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòn毕业2年之内都算应届吗，21年毕业生23年算应届吗g)和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(毕业2年之内都算应届吗，21年毕业生23年算应届吗yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的(de)供应优(yōu)势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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