大家好，来看(kàn)一则突发(fā)消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōn家贫无从致书以观出自哪里，家贫无从致书以观每假借于藏家贫无从致书以观出自哪里，家贫无从致书以观每假借于藏书之家翻译书之家翻译g)华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)家贫无从致书以观出自哪里，家贫无从致书以观每假借于藏书之家翻译更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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