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　　美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(c整天吵架的婚姻还能继续下去吗，夫妻超过三条迟早离婚há)办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基(jī)础设施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的(de)是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén整天吵架的婚姻还能继续下去吗，夫妻超过三条迟早离婚)民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和(hé)国网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛整天吵架的婚姻还能继续下去吗，夫妻超过三条迟早离婚合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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