大(dà)家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规幼儿园晨间谈话内容有哪些小班，幼儿园晨间谈话内容有哪些中班，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护国(guó)家(jiā)安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患(huàn)造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共幼儿园晨间谈话内容有哪些小班，幼儿园晨间谈话内容有哪些中班和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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