大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第一坚持做核酸有无必要，有没有必要做核酸大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过坚持做核酸有无必要，有没有必要做核酸薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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