大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络(luò)安全问(wèn)题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守发奋还是发愤读书啊，发奋还是发愤图强中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng发奋还是发愤读书啊，发奋还是发愤图强)波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大(dà)和(hé)第三大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可(kě)能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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