大(dà)家好，来看一则突(tū)发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(g毁掉一个老师最好的办法#ff0000; line-height: 24px;'>毁掉一个老师最好的办法uāng)公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是(shì)维(wéi)护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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