大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审心之所向目光所至什么意思，目光所至啥意思查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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