大家(jin是正极还是负极，L是正极还是负极ā)好，来(lái)看一(yī)则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法作出(chū)不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础n是正极还是负极，L是正极还是负极设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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