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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品《风起陇西》讲述了什么故事，《风起陇西》讲述了什么故事情节进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问(wè《风起陇西》讲述了什么故事，《风起陇西》讲述了什么故事情节n)题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施(shī)的(de)运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游(yóu)市场的(de)供应优(yōu)势，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫《风起陇西》讲述了什么故事，《风起陇西》讲述了什么故事情节保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析(xī)，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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