大(dà)家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依法对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品进行(xíng)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查，目的(de)是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安全(quán)的(de)必要(yào)措施。中国(guó)坚定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)n是什么化学元素，n是什么化学元素符号31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shn是什么化学元素，n是什么化学元素符号ǎn)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大和第(dì)三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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