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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露(lù)过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán八哥鸟寿命是多少年)供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D 八哥鸟寿命是多少年NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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