大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结(jié)论。按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题(tí)危害国(guó)家关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市(shì)场(ch太监割掉的是哪些部位，太监为什么割掉的是哪些部位ǎng)收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深(shēn)的(de)孔或(huò)者沟(gōu太监割掉的是哪些部位，太监为什么割掉的是哪些部位)槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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