大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)的(de)结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和(hé)国国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，name是什么意思 name是姓还是名ong>国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生(shēngname是什么意思 name是姓还是名)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设(shè)备name是什么意思 name是姓还是名及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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