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新联会是事业编制吗 加入新联会很厉害吗

新联会是事业编制吗 加入新联会很厉害吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

  据网(wǎng)信办消息,日前,网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

  审查(chá)发现,美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患,对我国关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险,影响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全。为此,网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī),我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

  此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查,目的(de)是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施安全,是维护国(guó)家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放,只要遵守中国法律法(fǎ)规要求,欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

  半(bàn)导体突(tū)发!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日(rì),中国网信网发文称(chēng),为(wèi)保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全,防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全风险,维(wéi)护国家安全,依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》,网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》,对美光公司(sī)(Micron)在华销售的(de)产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购!

  美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙(lóng)头(tóu),也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57%降(jiàng)至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

  美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降,至少已经不是主要大供应商。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示,江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约,确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性,巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势,公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

  有券商(shāng)此前就分(fēn)析,如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制,或将(jiāng)导致下(xià)游客(kè)户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士,国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品新联会是事业编制吗 加入新联会很厉害吗strong>

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤,同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60:1的深孔,未来(lái)可(kě)能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽,催生更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露,薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75%。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单(dān),设备国(guó)产化进程加速,新联会是事业编制吗 加入新联会很厉害吗看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(薄膜沉(chén)积(jī))等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提升,以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等(děng)收(shōu)入增长。

 

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