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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中曼妙是什么意思解释，身姿曼妙是什么意思国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已曼妙是什么意思解释，身姿曼妙是什么意思经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储(chǔ曼妙是什么意思解释，身姿曼妙是什么意思)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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