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抖音音乐排行榜,2022年最好听的十首最火歌曲

抖音音乐排行榜,2022年最好听的十首最火歌曲 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则(zé)突发(fā)消息。

  美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络(luò)安全审(shěn)查

  据网信办消息(xī),日前,网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络抖音音乐排行榜,2022年最好听的十首最火歌曲(luò)安全审查。

  审查(chá)发(fā)现,美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐患,对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险,影响我国国家安全。为此,网络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规,我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

  此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查,目的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全(quán),是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放,只要遵守中国法律法规要求,欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日(rì),中国网信网发(fā)文称,为保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安全(quán),防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn),维(wéi)护国家(jiā)安全,依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》,网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》,对(duì)美光(guāng)公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中(zhōng)国(guó)出手(shǒu):停止采购!

  美(měi)光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头,也是全球(qiú)存储芯片巨头之一,2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

  美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降,至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供应商,采(cǎi)购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合(hé)抖音音乐排行榜,2022年最好听的十首最火歌曲作。2022年年(nián)报显示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势,公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

  有券商(shāng)此前就分析,如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限制,或将导致下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

  分(fēn)析(xī)称,长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代(dài),2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤,同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽,催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露,薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75%。自长江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单,设(shè)备国产(chǎn)化进程加速,看好拓荆科(kē)技(jì)(薄膜(mó)沉积(jī))等相关公司份额提升,以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科(kē)(CMP)、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)(清洗)等(děng)收入增长(zhǎng)。

 

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