大(dà)家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查(c随性是什么意思，女人随性是什么意思há)办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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