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　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基(jī)础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(sh胡服骑射的故事及启示感悟，胡服骑射的故事告诉我们什么ì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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