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　　美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的(de)必要措施(shī)。中八哥鸟寿命是多少年国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(八哥鸟寿命是多少年wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被加(jiā)入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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