大(dà)家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审济南初中排名前十名(济南中学排名)，济南初中排名前50查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光济南初中排名前十名(济南中学排名)，济南初中排名前50公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是美(měi)国的(de)存(cún)储芯片(piàn)行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美济南初中排名前十名(济南中学排名)，济南初中排名前50(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的(de)生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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