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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查(chá)办公室(sh比较长的古诗词，比较长的古诗10句ì)依法对(duì)美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依(yī)据(jù)《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国国(guó)家安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储比较长的古诗词，比较长的古诗10句(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国区(qū)销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù比较长的古诗词，比较长的古诗10句)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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