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　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审(shěn)查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害国家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据一米等于多少微米等于多少纳米，一厘米等于多少微米《中华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按(àn)照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(一米等于多少微米等于多少纳米，一厘米等于多少微米jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的(de)华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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