大家(jiā)好，来(lái)看一则突发消息再大的胸躺下都是平的，胸明明很大但为什么一躺下就平了。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业(yè)、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在再大的胸躺下都是平的，胸明明很大但为什么一躺下就平了(zài)中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外(wài再大的胸躺下都是平的，胸明明很大但为什么一躺下就平了)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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