大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护(hù)国家(jiā)安(ān)全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安(ān)全法》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约9的算术平方根是3还是正负3，根号9的算术平方根是多少11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更9的算术平方根是3还是正负3，根号9的算术平方根是多少深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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