大家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国(guó)家(jiā)安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也(yě)是全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(ni卫校是什么学校主要干什么，临海卫校是什么学校án)美光位卫校是什么学校主要干什么，临海卫校是什么学校列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3卫校是什么学校主要干什么，临海卫校是什么学校D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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